HCN 通道胞外 turret 作为电压传感器-孔道偶联的结构枢纽

HCN 通道的电压传感域（VSD）如何与孔道开放偶联此前尚不清楚，该研究鉴定出胞外 turret 螺旋是这一偶联的关键枢纽。对 HCN4 进行丙氨酸扫描突变，发现 6 个 turret 残基被替换后超极化诱发的电流消失；电压钳荧光测定显示这些突变保留了 S4 激活，却选择性破坏 turret 构象变化，从而将 VSD 运动与孔道开放解偶联。结构与功能分析进一步识别出连接 turret 与 S1、S5、S6 片段的胞外相互作用网络，该网络对超极化依赖的门控必不可少。基于此，作者提出"hand-in-hand"偶联模型，认为 turret 重排是 HCN 通道电压依赖开放的关键下游中继。